砷化鎵（GaAs）是一種半導體材料，具有直接帶隙特性，使其能夠發光，因此被廣泛應用於LED產業。砷化鎵的高速特性使其非常適合用於射頻設備，如手機，以及主要用於軍事應用的微波設備，如雷達和智能武器。由於其含有高比例的砷，砷化鎵被視為有害物質。

主要考量事項：

• 切割品質：正面和背面崩邊
• 由於材料的晶體結構而導致的裂紋
• GaAs塵埃的毒性

切割刀片：
自動（7120系列/7900 Duo）或全自動（7220系列）切割系統，增強的製程控制工具，具有非常高的自動化水平。

刀片：

• 2吋鎳中心刀片
• 鑽石顆粒尺寸：0-2、0.5-2、0.5-3和2-4微米
• 厚度：0.0006吋 – 0.0014吋

製程參數：

• 進刀速度：2-10毫米/秒（一階或兩階）
• 主軸轉速：30 – 45 krpm
• 冷卻類型：僅使用DI水
• 安裝：UV或藍色膠帶
• 充足的通風和抽風系統
• 妥善處理廢水